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北京晶格領域半導體有限公司
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3C N型碳化硅襯底(定制尺寸)


產品介紹

3C N型SiC具有更高的電子遷移率(3C-SiC,1100 cm2/V?s;4H-SiC,900 cm2/V?s),同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度,可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性,能大幅度提高器件產品良率。

主要指標


晶型:3C         尺寸:1*1 cm/2*2 cm等可根據需求定制              

厚度:350±25μm   微管密度:<0.1 cm-2

電阻率:0.0006 Ω?cm


產品咨詢:劉先生18611467681

地址:北京市順義區順強路1號嘉德工場4號樓

郵編:101300

聯系方式:010-81477486

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