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2024年5月25-26日，由中國有色金屬學(xué)會寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會主辦，中國科學(xué)院物理研究所承辦的碳化硅單晶液相法生長及器件技術(shù)專題研討會在北京成功舉行。會議由中科院物理所陳小龍研究員發(fā)起并主持，邀請了產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)和學(xué)界共同探討液相法技術(shù)進展和發(fā)展方向，并發(fā)布了液相法近期工作成果···

1 碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料，引領(lǐng)功率及射頻領(lǐng)域革新碳化硅較硅更能滿足高溫、高壓、高頻等需求，下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛碳化硅屬于第三代半導(dǎo)體材料，具備禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、臨界擊穿場強高、電子飽和 漂移速率高等特點。碳化硅為第三代半導(dǎo)體材料典型代表，相較于硅材料等前兩代半導(dǎo)體 材料，其禁···

碳化硅性能優(yōu)勢突出，市場規(guī)模快速成長碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件，隨著下游需求爆發(fā)，2022-2026 年SiC 器件的市場規(guī)模將從43 億美元提升到89 億美元，復(fù)合增長率為20···

一、碳化硅 SiC 為第三代半導(dǎo)體材料1.1、半導(dǎo)體材料市場廣闊半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模較大，產(chǎn)業(yè)鏈較長，技術(shù)門檻較高且應(yīng)用廣泛，是現(xiàn)代電子信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體 行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈主要包括上游半導(dǎo)體材料、中游半導(dǎo)體元件以及下游應(yīng)用領(lǐng)域。上游材料半導(dǎo)體材料是一類具有 半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于···

在當前時點，新能源汽車市場比以往任何時候都更加逼近碳化硅的規(guī)模化上車。據(jù)不完全統(tǒng)計，比亞迪、吉利、現(xiàn)代、廣汽、小鵬等都發(fā)布了搭載800V高電壓平臺的車型，甚至部分車企已經(jīng)將量產(chǎn)時點定在2022年。這場高壓快充升級革命，正在系統(tǒng)性革新上游供應(yīng)鏈，其中功率器件作為重要參與部

Wolfspeed 位于美國紐約州莫霍克谷（Mohawk Valley）的全球首個、最大且唯一的 200 mm 碳化硅（SiC） 制造工廠將于美國東部時間 4 月 25 日下午 2 點迎來盛大開業(yè)。Wolfspeed 致力于推動從 Si 向 SiC 技術(shù)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。我們正在美國東···